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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R181M2HXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Mise en bobine97AK2412RL
Bandes découpées97AK2412
Gamme de produitCoolSiC Mosfet 1200V G2
Votre numéro de pièce
1 076 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 8,040 $ | 8,04 $ |
| Total Prix | 8,04 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,040 $ |
| 50+ | 5,350 $ |
| 100+ | 3,850 $ |
| 250+ | 3,830 $ |
| 500+ | 3,510 $ |
| 1000+ | 3,440 $ |
| 2500+ | 3,370 $ |
| 5000+ | 3,290 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG120R181M2HXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant42 semaines
Code Commande
Mise en bobine97AK2412RL
Bandes découpées97AK2412
Gamme de produitCoolSiC Mosfet 1200V G2
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id14.9A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
Drain Source On State Resistance0.1814ohm
Transistor Case StyleTO-263HV
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.1V
Power Dissipation94W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Mosfet 1200V G2
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
14.9A
Drain Source On State Resistance
0.1814ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.1V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Transistor Case Style
TO-263HV
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
94W
Product Range
CoolSiC Mosfet 1200V G2
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
