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IMBG40R015M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 111 A, 400 V, 0.0191 ohm, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG40R015M2HXTMA1
Code Commande12AM7805
Gamme de produitCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Fiche technique
965 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,420 $ |
| 10+ | 14,080 $ |
| 25+ | 14,070 $ |
| 50+ | 13,040 $ |
| 100+ | 12,000 $ |
| 250+ | 11,390 $ |
| 500+ | 10,790 $ |
| 1000+ | 10,180 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
16,42 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG40R015M2HXTMA1
Code Commande12AM7805
Gamme de produitCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id111A
Drain Source Voltage Vds400V
Drain Source On State Resistance0.0191ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation341W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC™ MOSFET 400 V G2
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IMBG40R015M2HXTMA1 is a CoolSiC™ 400V CoolSiC™ G2 MOSFET in a 7 pin TO263 package. Typical applications include SMPS, solar PV inverters, energy storage, UPS and battery formation, class‑D audio and motor drives.
- 400V drain source voltage, 15mohm RDS(on), 111A drain current
- Ideal for high frequency switching and synchronous rectification
- Commutation robust fast body diode with low Qfr
- Low RDS(on) dependency on temperature
- Benchmark gate threshold voltage, VGS(th) = 4.5V
- Recommended gate driving voltage 0V to 18V
- XT interconnection technology for best‑in‑class thermal performance
- 100% avalanche tested
- Operating junction temperature range from ‑55 to 175°C
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
111A
Drain Source On State Resistance
0.0191ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
400V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
341W
Product Range
CoolSiC™ MOSFET 400 V G2
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits