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IMBG65R030M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 63 A, 650 V, 30 mohm, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R030M1HXTMA1
Code Commande26AK5705
Gamme de produitCoolSiC M1 Trench Series
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 30 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,280 $ |
| 10+ | 10,460 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
16,28 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R030M1HXTMA1
Code Commande26AK5705
Gamme de produitCoolSiC M1 Trench Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id63A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance30mohm
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation234W
Power Dissipation Pd234W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
234W
Product Range
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
63A
Drain Source On State Resistance
30mohm
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
234W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits