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IMBG65R033M2HXTMA1
SIC MOSFET, N-CH, 650V, 58A, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R033M2HXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM1429RL
Bandes découpées22AM1429
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Votre numéro de pièce
819 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 19,550 $ | 19,55 $ |
| Total Prix | 19,55 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 19,550 $ |
| 50+ | 15,120 $ |
| 100+ | 14,160 $ |
| 250+ | 14,060 $ |
| 500+ | 13,770 $ |
| 1000+ | 13,490 $ |
| 2500+ | 13,220 $ |
| 5000+ | 12,940 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R033M2HXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant52 semaines
Code Commande
Mise en bobine22AM1429RL
Bandes découpées22AM1429
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation227W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
58A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
227W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit