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IMBG65R057M1HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 650 V, 0.057 ohm, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R057M1HXTMA1
Code Commande26AK5708
Gamme de produitCoolSiC M1 Trench Series
Fiche technique
800 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 7,080 $ |
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7,08 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG65R057M1HXTMA1
Code Commande26AK5708
Gamme de produitCoolSiC M1 Trench Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.057ohm
Drain Source On State Resistance0.057ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd161W
Power Dissipation161W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC M1 Trench Series
MSL-
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.057ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
161W
Product Range
CoolSiC M1 Trench Series
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
39A
On Resistance Rds(on)
0.057ohm
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
161W
Operating Temperature Max
175°C
MSL
-
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit