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IMBG75R033M2HXTMA1
MOSFET, N-CH, 750V, 50A, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG75R033M2HXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande12AN6470
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
Votre numéro de pièce
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 9 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,910 $ |
| 50+ | 13,370 $ |
| 100+ | 12,680 $ |
| 250+ | 11,410 $ |
| 500+ | 10,440 $ |
| 1000+ | 9,370 $ |
| 2500+ | 8,890 $ |
| 5000+ | 8,360 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
14,91 $
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMBG75R033M2HXTMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant9 semaines
Code Commande12AN6470
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleTO-263
No. of Pins7Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation189W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (27-Jun-2018)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
7Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (27-Jun-2018)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
TO-263
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
189W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (27-Jun-2018)
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