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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMDQ65R010M2HXUMA1
Code Commande25AM8244
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
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Fiche technique
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Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 24,940 $ |
| 10+ | 19,910 $ |
| 25+ | 18,640 $ |
| 50+ | 17,950 $ |
| 100+ | 17,250 $ |
| 250+ | 16,600 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMDQ65R010M2HXUMA1
Code Commande25AM8244
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id154A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.091ohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation651W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
154A
Drain Source On State Resistance
0.091ohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
651W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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Certificat de conformité du produit