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IMDQ75R004M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 357 A, 750 V, 3200 µohm, HDSOP
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMDQ75R004M2HXTMA1
Code Commande46AM5648
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
Votre numéro de pièce
265 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 79,710 $ |
| 10+ | 63,440 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
79,71 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMDQ75R004M2HXTMA1
Code Commande46AM5648
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id357A
Drain Source Voltage Vds750V
Drain Source On State Resistance3200µohm
Transistor Case StyleHDSOP
No. of Pins22Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation1.499kW
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
357A
Drain Source On State Resistance
3200µohm
No. of Pins
22Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
750V
Transistor Case Style
HDSOP
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
1.499kW
Product Range
CoolSiC G2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits