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IMT65R010M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 168 A, 650 V, 9100 µohm, HSOF
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT65R010M2HXUMA1
Code Commande26AM1120
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 26,390 $ |
| 10+ | 19,200 $ |
| 25+ | 18,660 $ |
| 50+ | 18,120 $ |
| 100+ | 17,570 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT65R010M2HXUMA1
Code Commande26AM1120
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id168A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance9100µohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation681W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
168A
Drain Source On State Resistance
9100µohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
681W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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