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IMT65R026M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 81 A, 650 V, 0.024 ohm, HSOF
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT65R026M2HXUMA1
Code Commande26AM1123
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Fiche technique
1 495 En Stock
500 Vous pouvez réserver des unités dès maintenant
Livraison dans 2-4 jours ouvrables(UK stock)
Consulter les heures limites
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,170 $ |
| 10+ | 11,220 $ |
| 25+ | 10,670 $ |
| 50+ | 10,100 $ |
| 100+ | 9,540 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
16,17 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT65R026M2HXUMA1
Code Commande26AM1123
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id81A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation365W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
81A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
365W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit