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IMT65R033M2HXUMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 68 A, 650 V, 0.03 ohm, HSOF
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT65R033M2HXUMA1
Code Commande26AM1124
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Fiche technique
128 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 14,890 $ |
| 10+ | 11,540 $ |
| 25+ | 10,960 $ |
| 50+ | 10,370 $ |
| 100+ | 9,790 $ |
| 250+ | 9,340 $ |
| 500+ | 8,890 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
14,89 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMT65R033M2HXUMA1
Code Commande26AM1124
Gamme de produitCoolSiC Gen 2 Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id68A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.03ohm
Transistor Case StyleHSOF
No. of Pins8Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation312W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Gen 2 Series
SVHCTo Be Advised
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
68A
Drain Source On State Resistance
0.03ohm
No. of Pins
8Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
To Be Advised
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
HSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
312W
Product Range
CoolSiC Gen 2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:À déterminer
SVHC :To Be Advised
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit