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IMTA65R026M2HXTMA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 79 A, 650 V, 0.024 ohm, LHSOF
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMTA65R026M2HXTMA1
Code Commande27AM0108
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,490 $ |
| 10+ | 10,760 $ |
| 25+ | 10,530 $ |
| 50+ | 10,320 $ |
| 100+ | 10,080 $ |
| 250+ | 9,540 $ |
| 500+ | 8,980 $ |
| 1000+ | 8,400 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMTA65R026M2HXTMA1
Code Commande27AM0108
Gamme de produitCoolSiC G2 Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id79A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.024ohm
Transistor Case StyleLHSOF
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage20V
Gate Source Threshold Voltage Max5.6V
Power Dissipation357W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC G2 Series
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
79A
Drain Source On State Resistance
0.024ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
5.6V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
LHSOF
Rds(on) Test Voltage
20V
Power Dissipation
357W
Product Range
CoolSiC G2 Series
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
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