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IMW120R220M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 13 A, 1.2 kV, 0.286 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW120R220M1HXKSA1
Code Commande29AH1035
Gamme de produitCoolSiC Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 4,800 $ |
| 10+ | 4,800 $ |
| 25+ | 4,400 $ |
| 50+ | 4,220 $ |
| 100+ | 4,040 $ |
| 480+ | 3,950 $ |
| 720+ | 3,760 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW120R220M1HXKSA1
Code Commande29AH1035
Gamme de produitCoolSiC Series
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id13A
Drain Source Voltage Vds1.2kV
On Resistance Rds(on)0.22ohm
Drain Source On State Resistance0.286ohm
Transistor Case StyleTO-247
Power Dissipation Pd75W
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation75W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
1.2kV
Drain Source On State Resistance
0.286ohm
Power Dissipation Pd
75W
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
75W
Product Range
CoolSiC Series
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
13A
On Resistance Rds(on)
0.22ohm
Transistor Case Style
TO-247
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IMW120R220M1HXKSA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit