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IMW65R030M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 58 A, 650 V, 30 mohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R030M1HXKSA1
Code Commande25AK0771
Gamme de produitCoolSiC Series
Fiche technique
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,530 $ |
| 10+ | 8,530 $ |
| 25+ | 8,530 $ |
| 50+ | 8,530 $ |
| 100+ | 8,530 $ |
| 480+ | 8,530 $ |
| 720+ | 8,530 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R030M1HXKSA1
Code Commande25AK0771
Gamme de produitCoolSiC Series
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id58A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.03ohm
Drain Source On State Resistance30mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation197W
Power Dissipation Pd197W
Operating Temperature Max175°C
Product RangeCoolSiC Series
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
30mohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
197W
Product Range
CoolSiC Series
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
58A
On Resistance Rds(on)
0.03ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
197W
Operating Temperature Max
175°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit