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IMW65R048M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R048M1HXKSA1
Code Commande78AH7249
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
171 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 15,060 $ |
| 10+ | 10,790 $ |
| 25+ | 10,400 $ |
| 50+ | 10,110 $ |
| 100+ | 9,860 $ |
| 480+ | 9,690 $ |
| 720+ | 9,530 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R048M1HXKSA1
Code Commande78AH7249
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
MOSFET Module ConfigurationSingle
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id39A
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.048ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Power Dissipation Pd125W
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation125W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC M1
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
No. of Pins
3Pins
Power Dissipation Pd
125W
Power Dissipation
125W
Product Range
CoolSiC M1
MOSFET Module Configuration
Single
Continuous Drain Current Id
39A
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit