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IMW65R072M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 26 A, 650 V, 0.072 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R072M1HXKSA1
Code Commande78AH7250
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
61 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 13,240 $ |
| 10+ | 8,470 $ |
| 25+ | 8,160 $ |
| 50+ | 7,910 $ |
| 100+ | 7,700 $ |
| 480+ | 7,620 $ |
| 720+ | 7,570 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
13,24 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R072M1HXKSA1
Code Commande78AH7250
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id26A
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.072ohm
On Resistance Rds(on)0.072ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation96W
Power Dissipation Pd96W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC M1
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.072ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation Pd
96W
Product Range
CoolSiC M1
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
26A
Drain Source On State Resistance
0.072ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation
96W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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