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IMW65R107M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 20 A, 650 V, 0.107 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R107M1HXKSA1
Code Commande78AH7251
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
282 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,350 $ |
| 10+ | 7,130 $ |
| 25+ | 6,830 $ |
| 50+ | 6,680 $ |
| 100+ | 6,520 $ |
| 480+ | 6,380 $ |
| 720+ | 6,250 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
10,35 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMW65R107M1HXKSA1
Code Commande78AH7251
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id20A
On Resistance Rds(on)0.107ohm
Drain Source Voltage Vds650V
Drain Source On State Resistance0.107ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins3Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd75W
Power Dissipation75W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC M1
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
On Resistance Rds(on)
0.107ohm
Drain Source On State Resistance
0.107ohm
No. of Pins
3Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
75W
Product Range
CoolSiC M1
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
Drain Source Voltage Vds
650V
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
75W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit