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IMZA65R027M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 59 A, 650 V, 27 mohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA65R027M1HXKSA1
Code Commande78AH7252
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
119 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 23,680 $ |
| 10+ | 21,090 $ |
| 25+ | 18,520 $ |
| 50+ | 15,930 $ |
| 100+ | 15,460 $ |
| 480+ | 15,000 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
23,68 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA65R027M1HXKSA1
Code Commande78AH7252
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id59A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.027ohm
Drain Source On State Resistance27mohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd189W
Power Dissipation189W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC M1
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
27mohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
189W
Product Range
CoolSiC M1
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
59A
On Resistance Rds(on)
0.027ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
189W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit