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IMZA65R048M1HXKSA1
Silicon Carbide MOSFET, Single, N Channel, 39 A, 650 V, 0.048 ohm, TO-247
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA65R048M1HXKSA1
Code Commande78AH7253
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
64 En Stock
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 16,520 $ |
| 10+ | 14,640 $ |
| 25+ | 12,780 $ |
| 50+ | 10,900 $ |
| 100+ | 10,470 $ |
| 480+ | 10,030 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
16,52 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIMZA65R048M1HXKSA1
Code Commande78AH7253
Gamme de produitCoolSiC M1
Fiche technique
MOSFET Module ConfigurationSingle
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Continuous Drain Current Id39A
Drain Source Voltage Vds650V
On Resistance Rds(on)0.048ohm
Drain Source On State Resistance0.048ohm
Transistor Case StyleTO-247
No. of Pins4Pins
Rds(on) Test Voltage18V
Gate Source Threshold Voltage Max4.5V
Power Dissipation Pd125W
Power Dissipation125W
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolSiC M1
Spécifications techniques
MOSFET Module Configuration
Single
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
Drain Source On State Resistance
0.048ohm
No. of Pins
4Pins
Gate Source Threshold Voltage Max
4.5V
Power Dissipation
125W
Product Range
CoolSiC M1
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
39A
On Resistance Rds(on)
0.048ohm
Transistor Case Style
TO-247
Rds(on) Test Voltage
18V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
150°C
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit