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IPB013N06NF2SATMA1
MOSFET, N-CH, 60V, 198A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB013N06NF2SATMA1
Code Commande68AK5309
Gamme de produitStrongIRFET 2 Series
Votre numéro de pièce
Fiche technique
773 En Stock
Options de conditionnement
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 9,890 $ |
| 10+ | 5,810 $ |
| 25+ | 5,520 $ |
| 50+ | 5,260 $ |
| 100+ | 4,980 $ |
| 250+ | 4,870 $ |
| 500+ | 4,770 $ |
| 1600+ | 4,480 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB013N06NF2SATMA1
Code Commande68AK5309
Gamme de produitStrongIRFET 2 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id198A
Drain Source On State Resistance1000µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.3V
Power Dissipation300W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
198A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
300W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
1000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits