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IPB021N10NM5LF2ATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 176A, TO-263
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB021N10NM5LF2ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM0111RL
Bandes découpées27AM0111
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Votre numéro de pièce
583 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 10,360 $ | 10,36 $ |
| Total Prix | 10,36 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 10,360 $ |
| 50+ | 5,670 $ |
| 100+ | 5,210 $ |
| 250+ | 5,100 $ |
| 500+ | 4,970 $ |
| 1000+ | 4,870 $ |
| 2500+ | 4,770 $ |
| 5000+ | 4,680 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB021N10NM5LF2ATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant10 semaines
Code Commande
Mise en bobine27AM0111RL
Bandes découpées27AM0111
Gamme de produitOptiMOS 5 Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id176A
Drain Source On State Resistance2000µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage15V
Gate Source Threshold Voltage Max3.9V
Power Dissipation375W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 5 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
176A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
15V
Power Dissipation
375W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
2000µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.9V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 5 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit