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IPB035N08N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 80 V, 100 A, 0.0028 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB035N08N3GATMA1
Code Commande13AC9026
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Fiche technique
50 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,707 $ |
| 10+ | 0,707 $ |
| 25+ | 0,707 $ |
| 50+ | 0,707 $ |
| 100+ | 0,707 $ |
| 250+ | 0,707 $ |
| 500+ | 0,707 $ |
| 1000+ | 0,707 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,71 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB035N08N3GATMA1
Code Commande13AC9026
Gamme de produitOptiMOS 3 Series
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id100A
Drain Source On State Resistance0.0028ohm
On Resistance Rds(on)0.0028ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation214W
Power Dissipation Pd214W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3 Series
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
Optima's™ 3 power-transistor ideal for fast switching applications. Typical applications include synchronous rectification, solar micro inverter, isolated DC-DC converters, motor control for 12-48V systems, Or-ing switches.
- Optimized technology for DC-DC converters
- Excellent gate charge x R DS(ON) product (FOM)
- Superior thermal resistance
- Dual sided cooling
- Low parasitic inductance
- Low profile (<lt/>0.7mm)
- N-channel, normal level
- 100% avalanche tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0028ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
214W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3 Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
100A
On Resistance Rds(on)
0.0028ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
Power Dissipation Pd
214W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit