Imprimer la page
IPB081N06L3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 60 V, 50 A, 0.0081 ohm, TO-263 (D2PAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB081N06L3GATMA1
Code Commande60R2670
Egalement appeléIPB081N06L3 G, SP000398076
Fiche technique
1 551 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,660 $ |
| 10+ | 1,320 $ |
| 100+ | 0,954 $ |
| 500+ | 0,904 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,66 $
Ajouter Référence Interne / Note à la ligne
Ajouté à votre confirmation de commande, à votre facture et à votre note d’expédition pour cette commande uniquement.
Ce numéro sera ajouté à la confirmation de commande, à la facture, au bon d’expédition, au courriel de confirmation Web et à l’étiquette.
Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB081N06L3GATMA1
Code Commande60R2670
Egalement appeléIPB081N06L3 G, SP000398076
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id50A
Drain Source On State Resistance0.0081ohm
On Resistance Rds(on)0.0067ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd79W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IPB081N06L3 G is a 60V N-channel Power MOSFET optimized for synchronous rectification in switched mode power supplies (SMPS) such as those found in servers, desktops and tablet charger. Dramatically reduced gate charge and output charge enable high system efficiency and power density. The OptiMOS™ power MOSFET is ideally suited for high frequency switching and DC-DC converters.
- Highest system efficiency
- Less paralleling required
- Increased power density
- Very low voltage overshoot
- Superior thermal resistance
Applications
Power Management, Alternative Energy, Motor Drive & Control, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
50A
On Resistance Rds(on)
0.0067ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
60V
Drain Source On State Resistance
0.0081ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
79W
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPB081N06L3GATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits