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IPB320N20N3GATMA1
MOSFET, N CHANNEL, 200V, 34A, TO263-3
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB320N20N3GATMA1
Code Commande47W3467
Egalement appeléIPB320N20N3 G, SP000691172
Fiche technique
16 406 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,190 $ |
| 10+ | 3,400 $ |
| 25+ | 3,060 $ |
| 50+ | 2,710 $ |
| 100+ | 2,380 $ |
| 250+ | 2,240 $ |
| 500+ | 2,100 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
5,19 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB320N20N3GATMA1
Code Commande47W3467
Egalement appeléIPB320N20N3 G, SP000691172
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds200V
Continuous Drain Current Id34A
On Resistance Rds(on)0.028ohm
Drain Source On State Resistance0.032ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd136W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
The IPB320N20N3 G is a N-channel Power MOSFET with performance leading OptiMOS™ benchmark technology. It is perfectly suited for synchronous rectification in 48V systems, DC-to-DC converters, uninterruptable power supplies (UPS) and inverters.
- Industry's lowest RDS (ON)
- Lowest Qg and Qgd
- World's lowest FOM, MSL 1 rated
- Highest efficiency
- Highest power density
- Minimal device paralleling required
- Environmentally friendly
- Easy-to-design-in products
- Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification
- Qualified according to JEDEC for target application
- Halogen-free, Green device
Applications
Industrial, Audio, LED Lighting, Motor Drive & Control, Power Management, Lighting
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
200V
On Resistance Rds(on)
0.028ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
34A
Drain Source On State Resistance
0.032ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
136W
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Produits de remplacement pour IPB320N20N3GATMA1
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits