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IPB60R090CFD7ATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 25A, 150DEG C, 124W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R090CFD7ATMA1
Code Commande42AH1824
Gamme de produitCoolMOS CFD7
Fiche technique
1 305 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,370 $ |
| 10+ | 4,870 $ |
| 25+ | 4,510 $ |
| 50+ | 3,990 $ |
| 100+ | 3,480 $ |
| 250+ | 3,380 $ |
| 500+ | 2,900 $ |
| 1000+ | 2,880 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,37 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R090CFD7ATMA1
Code Commande42AH1824
Gamme de produitCoolMOS CFD7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id25A
On Resistance Rds(on)0.075ohm
Drain Source On State Resistance0.075ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd124W
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation124W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.075ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
25A
Drain Source On State Resistance
0.075ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
124W
Power Dissipation
124W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits