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IPB60R125CFD7ATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 18A, 150DEG C, 92W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R125CFD7ATMA1
Code Commande42AH1826
Gamme de produitCoolMOS CFD7
Fiche technique
617 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 6,360 $ |
| 10+ | 4,250 $ |
| 25+ | 3,850 $ |
| 50+ | 3,470 $ |
| 100+ | 3,070 $ |
| 250+ | 3,040 $ |
| 500+ | 2,690 $ |
| 1000+ | 2,380 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
6,36 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB60R125CFD7ATMA1
Code Commande42AH1826
Gamme de produitCoolMOS CFD7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id18A
On Resistance Rds(on)0.104ohm
Drain Source On State Resistance0.104ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd92W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max4V
Power Dissipation92W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CFD7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.104ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Power Dissipation Pd
92W
Gate Source Threshold Voltage Max
4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CFD7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
18A
Drain Source On State Resistance
0.104ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
92W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits