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IPB65R065C7ATMA2
MOSFET, N-CH, 650V, 33A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R065C7ATMA2
Code Commande38AJ3756
Gamme de produitCoolMOS C7
Fiche technique
271 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 8,760 $ |
| 10+ | 6,080 $ |
| 25+ | 5,810 $ |
| 50+ | 5,540 $ |
| 100+ | 5,270 $ |
| 250+ | 5,150 $ |
| 500+ | 5,020 $ |
| 1000+ | 4,340 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
8,76 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB65R065C7ATMA2
Code Commande38AJ3756
Gamme de produitCoolMOS C7
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds650V
Continuous Drain Current Id33A
On Resistance Rds(on)0.058ohm
Drain Source On State Resistance0.058ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation171W
Power Dissipation Pd171W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C7
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
650V
On Resistance Rds(on)
0.058ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
171W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
33A
Drain Source On State Resistance
0.058ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
Power Dissipation Pd
171W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits