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IPB70N10S3L12ATMA2
MOSFET, N-CH, 100V, 70A, TO-236
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB70N10S3L12ATMA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine26AM8605RL
Bandes découpées26AM8605
Gamme de produitOptiMOS-T Series
Votre numéro de pièce
6 686 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 5,360 $ | 5,36 $ |
| Total Prix | 5,36 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 5,360 $ |
| 50+ | 2,720 $ |
| 100+ | 2,450 $ |
| 250+ | 2,240 $ |
| 500+ | 2,020 $ |
| 1000+ | 1,970 $ |
| 2500+ | 1,930 $ |
| 5000+ | 1,890 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB70N10S3L12ATMA2Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant11 semaines
Code Commande
Mise en bobine26AM8605RL
Bandes découpées26AM8605
Gamme de produitOptiMOS-T Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id70A
Drain Source On State Resistance0.0118ohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.4V
Power Dissipation125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T Series
QualificationAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
70A
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.0118ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.4V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit