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IPB80P04P4L08ATMA2
MOSFET, P-CH, 40V, 80A, TO-263 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB80P04P4L08ATMA2
Code Commande38AJ3760
Gamme de produitOptiMOS-P2
Votre numéro de pièce
2 151 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,650 $ |
| 10+ | 2,350 $ |
| 25+ | 2,100 $ |
| 50+ | 1,870 $ |
| 100+ | 1,620 $ |
| 250+ | 1,460 $ |
| 500+ | 1,290 $ |
| 1000+ | 1,200 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,65 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPB80P04P4L08ATMA2
Code Commande38AJ3760
Gamme de produitOptiMOS-P2
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id80A
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Drain Source On State Resistance6500µohm
Transistor Case StyleTO-263 (D2PAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation75W
Power Dissipation Pd75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Case Style
TO-263 (D2PAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
75W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
80A
Drain Source On State Resistance
6500µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits