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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD023N03LF2SATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine20AM0208RL
Bandes découpées20AM0208
Gamme de produitStrongIRFET 2 Series
Votre numéro de pièce
3 295 En Stock
Options de conditionnement
| Type de conditionnement | Quantité | PU HT: | Total |
|---|---|---|---|
| Bandes découpées | 1 | 3,540 $ | 3,54 $ |
| Total Prix | 3,54 $ | ||
Bandes découpées & Mise en bobine
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,540 $ |
| 50+ | 1,850 $ |
| 100+ | 1,680 $ |
| 250+ | 1,540 $ |
| 500+ | 1,390 $ |
| 1000+ | 1,360 $ |
| 2500+ | 1,330 $ |
| 5000+ | 1,310 $ |
Note à la ligne
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD023N03LF2SATMA1Copie
Délai d’approvisionnement standard du fabricant23 semaines
Code Commande
Mise en bobine20AM0208RL
Bandes découpées20AM0208
Gamme de produitStrongIRFET 2 Series
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id137A
Drain Source On State Resistance2350µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.35V
Power Dissipation107W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeStrongIRFET 2 Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (25-Jun-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
137A
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
107W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
Drain Source Voltage Vds
30V
Drain Source On State Resistance
2350µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.35V
No. of Pins
3Pins
Product Range
StrongIRFET 2 Series
SVHC
No SVHC (25-Jun-2025)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (25-Jun-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
