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IPD042P03L3GATMA1
Power MOSFET, P Channel, 30 V, 7 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,780 $ |
| 10+ | 1,800 $ |
| 25+ | 1,670 $ |
| 50+ | 1,530 $ |
| 100+ | 1,410 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD042P03L3GATMA1
Code Commande43AC3266
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds30V
Continuous Drain Current Id7A
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Drain Source On State Resistance4200µohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.5V
Power Dissipation150W
Power Dissipation Pd150W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- OptiMOS™ 3 power-transistor
- Single P-channel (logic level)
- Enhancement mode
- Qualified according to JEDEC for target application
- 175°C operating temperature
- Applications: load switch, HS-switch
- Halogen-free according to IEC61249-2-21
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
30V
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
150W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
7A
Drain Source On State Resistance
4200µohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.5V
Power Dissipation Pd
150W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD042P03L3GATMA1
2 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit