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IPD110N12N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 120 V, 75 A, 11 mohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD110N12N3GATMA1
Code Commande47W3469
Egalement appeléIPD110N12N3 G, SP001127808
Fiche technique
3 022 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,650 $ |
| 10+ | 1,520 $ |
| 25+ | 1,400 $ |
| 50+ | 1,400 $ |
| 100+ | 1,400 $ |
| 250+ | 1,400 $ |
| 500+ | 1,300 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,65 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD110N12N3GATMA1
Code Commande47W3469
Egalement appeléIPD110N12N3 G, SP001127808
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds120V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance11mohm
On Resistance Rds(on)0.0092ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd136W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
Produits de remplacement pour IPD110N12N3GATMA1
1 produit trouvé
Aperçu du produit
The IPD110N12N3 G is an OptiMOS™ N-channel Power MOSFET offers at the same time the lowest ON-state resistances of the industry and the fastest switching behaviour, allowing for the achievement of outstanding performance in a wide range of applications. The 120V OptiMOS™ technology gives new possibilities for optimized solutions.
- Excellent switching performance
- World's lowest RDS (ON)
- Very low Qg and Qgd
- Excellent gate charge x RDS (ON) product (FOM)
- Halogen-free, Green device
- Qualified according to JEDEC for target application
- MSL1 rated 2
Applications
Power Management, Motor Drive & Control, Audio, Communications & Networking, Industrial
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
120V
Drain Source On State Resistance
11mohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
136W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
On Resistance Rds(on)
0.0092ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (4)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit