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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD135N08N3GATMA1
Code Commande34AC1667
Gamme de produitOptiMOS 3
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds80V
Continuous Drain Current Id45A
Drain Source On State Resistance0.0114ohm
On Resistance Rds(on)0.0114ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd79W
Gate Source Threshold Voltage Max2.8V
Power Dissipation79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS 3
Qualification-
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
80V
Drain Source On State Resistance
0.0114ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
2.8V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS 3
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
45A
On Resistance Rds(on)
0.0114ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
79W
Power Dissipation
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits