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IPD19DP10NMATMA1
MOSFET, P-CH, 100V, TO-252-3 ROHS COMPLIANT: YES
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD19DP10NMATMA1
Code Commande90AJ6113
Gamme de produitOptiMOS Series
Fiche technique
2 399 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,590 $ |
| 10+ | 1,710 $ |
| 25+ | 1,580 $ |
| 50+ | 1,450 $ |
| 100+ | 1,330 $ |
| 250+ | 1,220 $ |
| 500+ | 1,110 $ |
| 1000+ | 1,030 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,59 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD19DP10NMATMA1
Code Commande90AJ6113
Gamme de produitOptiMOS Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id13.7A
Drain Source On State Resistance0.1479ohm
On Resistance Rds(on)0.1479ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd83W
Power Dissipation83W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS Series
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
Drain Source On State Resistance
0.1479ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
83W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS Series
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
13.7A
On Resistance Rds(on)
0.1479ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
83W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits