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IPD30N08S2L21ATMA1
MOSFET Transistor, N Channel, 30 A, 75 V, 0.0159 ohm, 10 V, 1.6 V RoHS Compliant: Yes
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
599 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,370 $ |
| 10+ | 1,260 $ |
| 25+ | 1,200 $ |
| 50+ | 1,190 $ |
| 100+ | 1,170 $ |
| 250+ | 1,170 $ |
| 500+ | 1,160 $ |
| 1000+ | 1,100 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,37 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD30N08S2L21ATMA1
Code Commande50Y2033
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds75V
Continuous Drain Current Id30A
Drain Source On State Resistance0.0159ohm
On Resistance Rds(on)0.0159ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd136W
Gate Source Threshold Voltage Max1.6V
Power Dissipation136W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
75V
Drain Source On State Resistance
0.0159ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
1.6V
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
30A
On Resistance Rds(on)
0.0159ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
136W
Power Dissipation
136W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits