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IPD50P04P413ATMA2
MOSFET, AEC-Q101, P-CH, -40V, -50A, 58W ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50P04P413ATMA2
Code Commande51AH5907
Gamme de produitOptiMOS-P2
Fiche technique
2 448 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,210 $ |
| 10+ | 1,480 $ |
| 25+ | 1,310 $ |
| 50+ | 1,140 $ |
| 100+ | 0,973 $ |
| 250+ | 0,877 $ |
| 500+ | 0,782 $ |
| 1000+ | 0,702 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,21 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD50P04P413ATMA2
Code Commande51AH5907
Gamme de produitOptiMOS-P2
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id50A
On Resistance Rds(on)0.0092ohm
Drain Source On State Resistance0.0092ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation58W
Power Dissipation Pd58W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0092ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
58W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
50A
Drain Source On State Resistance
0.0092ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
58W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits