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IPD530N15N3GATMA1
Power MOSFET, N Channel, 150 V, 21 A, 53 mohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,020 $ |
| 10+ | 0,933 $ |
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| 50+ | 0,864 $ |
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD530N15N3GATMA1
Code Commande79X1437
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds150V
Continuous Drain Current Id21A
On Resistance Rds(on)0.044ohm
Drain Source On State Resistance53mohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd68W
Power Dissipation68W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Optima's® -3 power transistorIdeal for high frequency switching and synchronous rectification
- N-channel, normal level
- Excellent gate charge x RDS(on) product (FOM)
- Very low on-resistance R DS(on)
- Qualified according to JEDEC for target application
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
150V
On Resistance Rds(on)
0.044ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
68W
No. of Pins
3Pins
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
21A
Drain Source On State Resistance
53mohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
68W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
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Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit