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IPD60N10S412ATMA1
MOSFET, N-CH, 100V, 60A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60N10S412ATMA1
Code Commande38AJ3774
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
4 342 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,410 $ |
| 10+ | 1,130 $ |
| 25+ | 1,070 $ |
| 50+ | 1,010 $ |
| 100+ | 0,940 $ |
| 250+ | 0,939 $ |
| 500+ | 0,907 $ |
| 1000+ | 0,875 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,41 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60N10S412ATMA1
Code Commande38AJ3774
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds100V
Continuous Drain Current Id60A
On Resistance Rds(on)0.0104ohm
Drain Source On State Resistance0.0104ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max2.7V
Power Dissipation94W
Power Dissipation Pd94W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
100V
On Resistance Rds(on)
0.0104ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
94W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
60A
Drain Source On State Resistance
0.0104ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
2.7V
Power Dissipation Pd
94W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits