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IPD60R2K1CEAUMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 3.7A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R2K1CEAUMA1
Code Commande34AC1677
Gamme de produitCoolMOS CE
Fiche technique
256 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,930 $ |
| 10+ | 0,715 $ |
| 25+ | 0,658 $ |
| 50+ | 0,599 $ |
| 100+ | 0,543 $ |
| 250+ | 0,488 $ |
| 500+ | 0,434 $ |
| 1000+ | 0,399 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
4,65 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R2K1CEAUMA1
Code Commande34AC1677
Gamme de produitCoolMOS CE
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id3.7A
On Resistance Rds(on)1.8ohm
Drain Source On State Resistance2.1ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd38W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation38W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
1.8ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 3 - 168 hours
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
3.7A
Drain Source On State Resistance
2.1ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
38W
Power Dissipation
38W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPD60R2K1CEAUMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits