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IPD60R360P7ATMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 9A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R360P7ATMA1
Code Commande34AC1679
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
2 574 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,964 $ |
| 10+ | 0,891 $ |
| 25+ | 0,834 $ |
| 50+ | 0,780 $ |
| 100+ | 0,720 $ |
| 250+ | 0,676 $ |
| 500+ | 0,647 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,96 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R360P7ATMA1
Code Commande34AC1679
Gamme de produitCoolMOS P7
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id9A
On Resistance Rds(on)0.305ohm
Drain Source On State Resistance0.305ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd41W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3.5V
Power Dissipation41W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS P7
Qualification-
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.305ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
41W
Gate Source Threshold Voltage Max
3.5V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS P7
MSL
MSL 1 - Unlimited
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
9A
Drain Source On State Resistance
0.305ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
41W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD60R360P7ATMA1
3 produit(s) trouvé(s)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits