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IPD60R3K3C6ATMA1
Power MOSFET, N Channel, 600 V, 1.7 A, 2.97 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R3K3C6ATMA1
Code Commande13AC9045
Gamme de produitCoolMOS C6
Fiche technique
1 860 En Stock
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Commande avant 21h avec expédition standard
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,946 $ |
| 10+ | 0,641 $ |
| 25+ | 0,594 $ |
| 50+ | 0,548 $ |
| 100+ | 0,501 $ |
| 250+ | 0,474 $ |
| 500+ | 0,448 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,95 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R3K3C6ATMA1
Code Commande13AC9045
Gamme de produitCoolMOS C6
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id1.7A
Drain Source On State Resistance3.3ohm
On Resistance Rds(on)2.97ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation18.1W
Power Dissipation Pd18.1W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C6
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- 600V CoolMOS™ C6 power transistor
- Extremely low losses due to very low FOM (RDS(on)* Qi and Eoss)
- Easy control of switching behaviour improves power density
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use, better light load efficiency
- Better light load efficiency compared to C3
- Outstanding reliability with proven CoolMOS™ quality combined with high body diode ruggedness
- More efficient, more compact, lighter and cooler
- Better price performance in comparison to previous CoolMOS™ generations
- Reduces possible ringing due to PCB layout and package parasitic effects
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
3.3ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
18.1W
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
1.7A
On Resistance Rds(on)
2.97ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
18.1W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD60R3K3C6ATMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit