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IPD60R600C6ATMA1
MOSFET, N CH, 600V, 7.3A, TO-252-3
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R600C6ATMA1
Code Commande30T1837
Gamme de produitCoolMOS C6
Egalement appeléIPD60R600C6, SP001117726
Fiche technique
4 580 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,100 $ |
| 10+ | 0,951 $ |
| 100+ | 0,801 $ |
| 500+ | 0,769 $ |
Prix pour :Each
Minimum: 1
Multiple: 1
1,10 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R600C6ATMA1
Code Commande30T1837
Gamme de produitCoolMOS C6
Egalement appeléIPD60R600C6, SP001117726
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id7.3A
Drain Source On State Resistance0.6ohm
On Resistance Rds(on)0.54ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Power Dissipation Pd63W
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation63W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS C6
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
- Extremely low losses due to very low FOM
- Very high commutation ruggedness
- Easy to use and drive
- JEDEC Qualified
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
7.3A
On Resistance Rds(on)
0.54ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Power Dissipation Pd
63W
Power Dissipation
63W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Drain Source Voltage Vds
600V
Drain Source On State Resistance
0.6ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS C6
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits associés
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits