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IPD60R650CEAUMA1
MOSFET, N-CH, 600V, 9.9A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R650CEAUMA1
Code Commande34AC1683
Gamme de produitCoolMOS CE
Fiche technique
4 462 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,816 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,82 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD60R650CEAUMA1
Code Commande34AC1683
Gamme de produitCoolMOS CE
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds600V
Continuous Drain Current Id9.9A
On Resistance Rds(on)0.54ohm
Drain Source On State Resistance0.65ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd82W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation82W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max150°C
Product RangeCoolMOS CE
Qualification-
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
600V
On Resistance Rds(on)
0.54ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
82W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
CoolMOS CE
MSL
MSL 3 - 168 hours
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
9.9A
Drain Source On State Resistance
0.65ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
82W
Operating Temperature Max
150°C
Qualification
-
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (2)
Produits de remplacement pour IPD60R650CEAUMA1
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits