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IPD70P04P409ATMA2
MOSFET, P-CH, 40V, 73A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD70P04P409ATMA2
Code Commande38AJ3775
Gamme de produitOptiMOS-P2
Fiche technique
7 884 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,650 $ |
| 10+ | 1,730 $ |
| 25+ | 1,550 $ |
| 50+ | 1,350 $ |
| 100+ | 1,170 $ |
| 250+ | 1,050 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
13,25 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD70P04P409ATMA2
Code Commande38AJ3775
Gamme de produitOptiMOS-P2
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id73A
Drain Source On State Resistance8900µohm
On Resistance Rds(on)0.0064ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation Pd75W
Power Dissipation75W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
8900µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation Pd
75W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
73A
On Resistance Rds(on)
0.0064ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation
75W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD70P04P409ATMA2
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits