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IPD75N04S406ATMA1
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD75N04S406ATMA1
Code Commande12AC9714
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
2 395 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 1,960 $ |
| 10+ | 1,240 $ |
| 25+ | 1,100 $ |
| 50+ | 0,960 $ |
| 100+ | 0,821 $ |
| 250+ | 0,732 $ |
| 500+ | 0,643 $ |
| 1000+ | 0,584 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
1,96 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD75N04S406ATMA1
Code Commande12AC9714
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
Transistor PolarityN Channel
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id75A
Drain Source On State Resistance0.005ohm
On Resistance Rds(on)0.005ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation58W
Power Dissipation Pd58W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.005ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
58W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
N Channel
Continuous Drain Current Id
75A
On Resistance Rds(on)
0.005ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
58W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits