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IPD85P04P407ATMA2
MOSFET, P-CH, 40V, 85A, TO-252
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD85P04P407ATMA2
Code Commande51AH5912
Gamme de produitOptiMOS-P2 Series
Fiche technique
1 522 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,590 $ |
| 10+ | 1,800 $ |
| 25+ | 1,620 $ |
| 50+ | 1,440 $ |
| 100+ | 1,260 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 5
Multiple: 5
12,95 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD85P04P407ATMA2
Code Commande51AH5912
Gamme de produitOptiMOS-P2 Series
Fiche technique
Transistor PolarityP Channel
Channel TypeP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id85A
Drain Source On State Resistance7300µohm
On Resistance Rds(on)0.0053ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Power Dissipation Pd88W
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation88W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-P2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Transistor Polarity
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
7300µohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Power Dissipation Pd
88W
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS-P2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Channel Type
P Channel
Continuous Drain Current Id
85A
On Resistance Rds(on)
0.0053ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
88W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Produits de remplacement pour IPD85P04P407ATMA2
1 produit trouvé
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits