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IPD90N06S407ATMA2
MOSFET, N-CH, 60V, 90A, TO-252 ROHS COMPLIANT: YES
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90N06S407ATMA2
Code Commande80AH9598
Gamme de produitOptiMOS T2
Fiche technique
Disponible sur commande
Délais d’approvisionnement standard du fabricant : 16 semaine(s)
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 0,929 $ |
| 10+ | 0,858 $ |
| 25+ | 0,804 $ |
| 50+ | 0,783 $ |
| 100+ | 0,776 $ |
| 250+ | 0,775 $ |
| 500+ | 0,772 $ |
| 1000+ | 0,768 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
0,93 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90N06S407ATMA2
Code Commande80AH9598
Gamme de produitOptiMOS T2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds60V
Continuous Drain Current Id90A
On Resistance Rds(on)0.0057ohm
Drain Source On State Resistance0.0057ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation79W
Power Dissipation Pd79W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
60V
On Resistance Rds(on)
0.0057ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
79W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.0057ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
79W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits