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IPD90P04P405ATMA2
Power MOSFET, P Channel, 40 V, 90 A, 0.0047 ohm, TO-252 (DPAK), Surface Mount
L'image a des fins d'illustration uniquement. Veuillez lire la description du produit.
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90P04P405ATMA2
Code Commande51AH5915
Gamme de produitOptiMOS P2 Series
Fiche technique
986 En Stock
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expédition le jour même
Commande avant 21h avec expédition standard
Disponible jusqu à épuisement du stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 3,340 $ |
| 10+ | 2,080 $ |
| 25+ | 1,940 $ |
| 50+ | 1,780 $ |
| 100+ | 1,640 $ |
| 250+ | 1,630 $ |
| 500+ | 1,330 $ |
| 1000+ | 1,260 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
3,34 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPD90P04P405ATMA2
Code Commande51AH5915
Gamme de produitOptiMOS P2 Series
Fiche technique
Channel TypeP Channel
Transistor PolarityP Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id90A
On Resistance Rds(on)0.0035ohm
Drain Source On State Resistance0.0047ohm
Transistor Case StyleTO-252 (DPAK)
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max3V
Power Dissipation125W
Power Dissipation Pd125W
No. of Pins3Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS P2 Series
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Aperçu du produit
IPD90P04P405ATMA2 is a OptiMOS®-P2 power-transistor in a 3 pin TO-252 package.
- Continuous drain current is -90A
- Power dissipation is 125W
- P-channel - normal level - enhancement mode
- AEC qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
Spécifications techniques
Channel Type
P Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
On Resistance Rds(on)
0.0035ohm
Transistor Case Style
TO-252 (DPAK)
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
125W
No. of Pins
3Pins
Product Range
OptiMOS P2 Series
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
P Channel
Continuous Drain Current Id
90A
Drain Source On State Resistance
0.0047ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
3V
Power Dissipation Pd
125W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit