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IPG20N04S4L07ATMA1
MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 40V, TDSON
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FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N04S4L07ATMA1
Code Commande12AC9720
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
5 922 En Stock
| Quantité | Prix |
|---|---|
| 1+ | 2,960 $ |
| 10+ | 1,890 $ |
| 25+ | 1,700 $ |
| 50+ | 1,490 $ |
| 100+ | 1,290 $ |
| 250+ | 1,160 $ |
| 500+ | 1,030 $ |
| 1000+ | 0,975 $ |
Prix pour :Each (Supplied on Cut Tape)
Minimum: 1
Multiple: 1
2,96 $
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N04S4L07ATMA1
Code Commande12AC9720
Gamme de produitOptiMOS-T2
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Transistor PolarityN Channel
Drain Source Voltage Vds40V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source On State Resistance0.0065ohm
On Resistance Rds(on)0.0065ohm
Transistor Case StyleTDSON
Transistor MountingSurface Mount
Rds(on) Test Voltage10V
Gate Source Threshold Voltage Max1.7V
Power Dissipation65W
Power Dissipation Pd65W
No. of Pins8Pins
Operating Temperature Max175°C
Product RangeOptiMOS-T2
QualificationAEC-Q101
Automotive Qualification StandardAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
40V
Drain Source On State Resistance
0.0065ohm
Transistor Case Style
TDSON
Rds(on) Test Voltage
10V
Power Dissipation
65W
No. of Pins
8Pins
Product Range
OptiMOS-T2
Automotive Qualification Standard
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Transistor Polarity
N Channel
Continuous Drain Current Id
20A
On Resistance Rds(on)
0.0065ohm
Transistor Mounting
Surface Mount
Gate Source Threshold Voltage Max
1.7V
Power Dissipation Pd
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
MSL
MSL 1 - Unlimited
Documents techniques (3)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:Unknown
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
Télécharger le certificat de conformité du produit
Certificat de conformité du produit
Traçabilité des produits