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IPG20N06S2L35ATMA1
Dual MOSFET, N Channel, 55 V, 20 A, 0.028 ohm, TDSON, Surface Mount
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Informations produit
FabricantINFINEON
Réf. FabricantIPG20N06S2L35ATMA1
Code Commande01AC4877
Fiche technique
Channel TypeN Channel
Drain Source Voltage Vds N Channel55V
Drain Source Voltage Vds55V
Continuous Drain Current Id20A
Drain Source Voltage Vds P Channel55V
Continuous Drain Current Id N Channel20A
Continuous Drain Current Id P Channel20A
Drain Source On State Resistance N Channel0.028ohm
Drain Source On State Resistance P Channel0.028ohm
Transistor Case StyleTDSON
No. of Pins8Pins
Power Dissipation N Channel65W
Power Dissipation P Channel65W
Operating Temperature Max175°C
Product Range-
QualificationAEC-Q101
MSLMSL 1 - Unlimited
SVHCNo SVHC (21-Jan-2025)
Produits de remplacement pour IPG20N06S2L35ATMA1
1 produit trouvé
Aperçu du produit
- OptiMOS™ power transistor
- Dual N-channel logic level - enhancement mode
- Automotive AEC Q101 qualified
- 175°C operating temperature
- 100% avalanche tested
Spécifications techniques
Channel Type
N Channel
Drain Source Voltage Vds
55V
Drain Source Voltage Vds P Channel
55V
Continuous Drain Current Id P Channel
20A
Drain Source On State Resistance P Channel
0.028ohm
No. of Pins
8Pins
Power Dissipation P Channel
65W
Product Range
-
MSL
MSL 1 - Unlimited
Drain Source Voltage Vds N Channel
55V
Continuous Drain Current Id
20A
Continuous Drain Current Id N Channel
20A
Drain Source On State Resistance N Channel
0.028ohm
Transistor Case Style
TDSON
Power Dissipation N Channel
65W
Operating Temperature Max
175°C
Qualification
AEC-Q101
SVHC
No SVHC (21-Jan-2025)
Documents techniques (1)
Législation et Questions environnementales
US ECCN:EAR99
EU ECCN:Unknown
Conforme RoHS :Oui
RoHS
Conforme à la norme RoHS Phthalates:Oui
RoHS
SVHC :No SVHC (21-Jan-2025)
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Certificat de conformité du produit